自主突圍 中國EUV光刻技術(shù)與光刻工廠的未來之路
韓國媒體近來對中國在極紫外（EUV）光刻技術(shù)領(lǐng)域的進(jìn)展持悲觀態(tài)度，認(rèn)為中國的核心技術(shù)仍落后于國際先進(jìn)水平。在全球半導(dǎo)體競爭加劇的背景下，中國不僅投入巨額資源研發(fā)EUV光刻技術(shù)，還探索“光刻工廠”這一聚合實(shí)驗(yàn)室環(huán)境的創(chuàng)新模式，力圖通過技術(shù)開發(fā)和咨詢突破封鎖。這種自建策略將助力中國防范芯片系統(tǒng)被多個(gè)供應(yīng)商卡脖子的險(xiǎn)境，標(biāo)志著中國半導(dǎo)體生態(tài)正更堅(jiān)定地向源頭自主創(chuàng)新發(fā)進(jìn)新步，而不只是漸進(jìn)式追趕，從而為更安全的數(shù)字基石打下具體根基?
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